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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作能力。适用于高效率电源、可再生能源转换系统及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。
