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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）、11A的连续漏极电流（ID）以及165mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源驱动电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频工作时仍能保持较低的导通与开关损耗，并具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统中的功率转换模块以及对体积和散热有严苛要求的电力电子设备。
