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该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，适合在高频开关条件下稳定工作，满足多种电力电子系统对高性能开关器件的需求。
