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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为25A，漏源击穿电压达800V，导通电阻为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高电压、高频率工作条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对能效和体积有较高要求的电源转换场景。其电气参数支持在严苛电压环境下可靠运行，同时有助于简化散热设计并提升系统整体效率。