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该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为20A，最大漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为160mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热管理要求较高的高频开关场景。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，适合用于电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子模块中。