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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，在-10V至@5V的栅源电压范围内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于高频率、高效率的电源管理及能量转换装置中。