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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至@5V（VGS），确保在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能与热稳定性，适合对体积、效率及散热有较高要求的电力电子系统。
