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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极连续电流为68A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与快速开关能力，在高频运行条件下仍能保持良好效率。适用于对转换效率和热性能要求较高的电源系统，如高密度开关电源、可再生能源转换装置及高性能计算设备中的功率管理模块。