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该N沟道碳化硅MOSFET具有116A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为20mΩ，栅源电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高频开关条件下展现出优异的导通特性和较低的开关损耗，同时具备良好的高温稳定性和热传导能力。适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，如数据中心供电、可再生能源转换装置及高频开关电源等应用场合。