-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流，漏源击穿电压达750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性。适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及各类高效电力电子装置，能够有效降低系统能耗并提升整体性能表现。