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该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流（ID）为108A，漏源击穿电压（VDSS）达750V，导通电阻（RDS(on)）为20mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，在高频开关应用中表现出优异的效率和热稳定性，适用于高功率电源、可再生能源转换系统及对体积与能效有严苛要求的电力电子装置。其低导通电阻有助于降低传导损耗，宽栅压范围则提升了驱动兼容性与控制灵活性。