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该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性。适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及高功率密度的电力电子设备，能够在严苛电气环境中维持可靠运行。