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该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效表现，在高电压、大电流应用场景中展现出良好的动态响应与可靠性。