-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压和大电流条件下表现出较低的导通损耗与优异的开关性能。其宽VGS范围提升了驱动电路的适配能力，适用于对效率、热管理和功率密度有较高要求的电源转换及高频电力电子应用。