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该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻低至45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率，在高频开关应用中可显著降低损耗，并提升系统整体效率。适用于对体积、散热及能效有较高要求的电源架构，可在高温或高电气应力条件下维持稳定运行。