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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为73A，漏源击穿电压达650V，导通电阻低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具有优异的高频开关能力与热稳定性，在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电力电子设备中可实现较低的导通与开关损耗，适用于对电气性能和可靠性要求较高的应用场景。