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该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为73A，最大漏源电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具有低开关损耗和高耐温特性，适合用于高效率、高频率的电力电子系统，例如数据中心电源、光伏逆变器以及大功率快充装置等场景，能够有效支持紧凑型高能效设计。