-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。器件适用于高电流开关场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率。结构设计支持快速开关特性，在电源转换、电机驱动及高频逆变等应用中可实现稳定可靠的性能表现。
