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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，具备良好的抗干扰能力和驱动兼容性。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的损耗和稳定的性能，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热管理与空间布局要求较高的电力电子应用。