-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9.3A的连续漏极电流（ID）和410mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子应用。
