-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场景。器件结构优化了开关特性，在高频工作条件下仍能保持较低的动态损耗，适合用于电源管理、电机驱动及各类高功率电子系统中的开关或同步整流功能。
