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该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃条件下可支持5.1A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(on)）典型值为820mΩ，在栅源电压（VGS）范围为-8V至@0V时能稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备较高的耐压能力和较低的开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景，如服务器电源、通信电源及可再生能源系统中的功率变换模块。
