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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为306mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换系统。其电气特性支持在紧凑布局中实现良好的热管理与稳定运行，可满足对能效和响应速度有较高要求的电力电子应用需求。
