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该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS）和5A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为1300毫欧。其电气参数适用于中等功率的开关应用，在电源管理、适配器、照明驱动及消费类电子设备的功率控制电路中可提供稳定的工作性能。器件结构支持较高的耐压能力，同时在导通状态下维持可控的功率损耗，适合对电压应力和效率有明确要求的场合。
