-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.3毫欧。较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体效率。其电气特性适合用于高频率开关操作，可应用于电源管理、电池供电设备、电机控制及各类高效能电子系统中，在有限空间内实现良好的热性能与可靠性。
