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该N沟道碳化硅MOSFET具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，可在栅源电压范围-8V至@0V内可靠运行。器件利用碳化硅材料优势，在高电压应用中展现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适合用于高效率电源转换、光伏逆变系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子设备中。
