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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达11A，导通电阻（RDS(ON)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及储能设备等对能效和可靠性要求较高的场合。