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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、5.3A的连续漏极电流（ID）以及820mΩ的导通电阻（RDS(on)）。其栅源电压（VGS）工作范围为-8V至!9V，适用于多种驱动电路配置。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适合用于高效率电源适配器、光伏逆变系统、数据中心供电模块及便携式快充设备等应用。
