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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达11A，导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率DC-DC变换器等场合。
