-------<点击了解更多 + 购买>-------
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），在高温或高频工作条件下表现出优异的稳定性。其导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-8V至@0V（VGS），支持较宽的驱动电压窗口，增强了与不同驱动电路的兼容性。器件采用碳化硅材料，具备高热导率和低开关损耗特性，适用于对能效和功率密度要求较高的电力电子应用场合。
