-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET额定漏源电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）为11A，导通电阻（RDS(on)）为165mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。基于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类中高功率电子设备中的功率开关环节。