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该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有效降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理场景。典型应用包括开关电源、同步整流、电机驱动及高密度功率转换系统，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
