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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和7.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。栅源电压范围为-8V至@0V，适用于多种驱动电路配置，同时提供良好的栅极可靠性。凭借碳化硅材料的固有优势，该器件在高频开关条件下具有较低的开关损耗和优异的热性能，适合用于高效率电源转换、可再生能源系统以及对体积和能效有严格要求的电力电子应用。
