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该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为7.1A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为410mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源转换、光伏逆变、不间断电源及类似对能效和热性能有较高要求的电力电子系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，有助于简化控制电路设计。