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该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.8毫欧。其低RDS(on)特性有助于减少导通损耗，提升系统效率，在高电流开关应用中表现优异。器件适用于对功率密度和热性能要求较高的场合，可有效支持电源管理、电机驱动及各类高效能电子设备中的功率转换需求。