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该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、光伏逆变器、服务器电源及类似电力电子系统，能够在较高结温下维持稳定电气性能。