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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源电压范围为-8V至!9V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备较高的开关效率与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源转换场景，如高频开关电源、光伏逆变系统及高效率充电装置等。