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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流能力，导通电阻（RDS(ON)）为306mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关应用中展现出较低的导通与开关损耗，并具有良好的高温工作稳定性。适用于高效率电源、可再生能源系统及紧凑型电力转换设备等对性能和空间有较高要求的场合。