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该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(on)）为306mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频电源转换、服务器电源、光伏逆变器及各类高效能电力电子系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时有助于简化栅极驱动电路设计。