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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）典型值为320mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，适用于高频、高效率的功率转换场景。器件基于碳化硅材料，具备优异的热稳定性和开关性能，可在严苛电气环境下保持可靠运行，适合用于对能效与体积有较高要求的电源系统中。