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该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合使其在中等功率应用中具备良好的导通特性和驱动兼容性，适用于对体积和效率有一定要求的电源管理模块。器件可在较高频率下稳定工作，适合用于各类电子系统中的开关与功率控制环节。
