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该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和7.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为410mΩ。栅源电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，该器件在高频、高效率的电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和体积有较高要求的电源系统。