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该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。器件适用于高电流、中等电压的应用场景，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率。结构上采用标准封装形式，便于在高功率密度电路中实现紧凑布局。该MOSFET可有效支持电源转换、电机驱动及各类开关应用中的高效能量控制。
