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该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V，连续漏极电流（ID）为5A，导通电阻（RDS(on)）为1300毫欧。器件在高电压条件下仍能维持稳定的开关性能，适用于对耐压能力有一定要求的电子系统。其结构特性使其在电源转换、充电设备、照明控制以及通用开关电路中能够可靠工作，满足多种常规电子装置对功率器件的基本需求。