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该N沟道碳化硅MOSFET具备11A的连续漏极电流，漏源电压额定值为900V，导通电阻为712mΩ。栅源电压工作范围为-8V至@0V，适用于需要高耐压与可靠开关性能的场合。凭借碳化硅材料的特性，器件在高温和高频条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适合用于高效率电源、可再生能源转换系统及中高功率电力电子设备中的关键开关功能。