-------<点击了解更多 + 购买>-------

该N沟道碳化硅MOSFET具有63A的漏极电流额定值和650V的漏源耐压，导通电阻为58mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V下可正常工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子装置中，能够有效支持紧凑型电路设计与高效能量管理。