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该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为108A，漏源击穿电压为750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换系统。其电气特性支持在严苛电气环境下稳定运行，可用于对体积、散热和能效有较高要求的电力电子应用中。