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该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和73A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至26mΩ，显著降低导通损耗。栅源驱动电压范围为-10V至@5V，支持宽裕的驱动设计裕量。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍保持优异的效率与热稳定性，适用于高功率密度电源、服务器电源、可再生能源转换系统及各类高效电力电子设备中的功率开关环节。