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该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料的高热导率与高临界电场特性，在高频、高功率密度的电力转换系统中可实现低开关损耗与高效率运行，适用于对动态响应和能效要求严苛的电源管理、储能变换及高频逆变等应用场景。