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该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流额定值，漏源电压耐受能力为750V，导通电阻典型值为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高效率特性，适用于高频、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效表现。